單晶硅壓力變送器和電容式壓力變送器都是表示器的一種，他們各自有什么樣的區(qū)別呢，接下來我們來了解一下他們之間的區(qū)別。

      單晶硅壓力傳感器技術(shù)與專業(yè)封裝工藝，精心研制出的一款先進(jìn)技術(shù)的高性能壓力變送器,測量精度高達(dá)0.075級，特有的雙過載保護(hù)膜設(shè)計，單向過壓可達(dá)40MPa。單晶硅壓力傳感器位于金屬位于頂部，遠(yuǎn)離介質(zhì)接觸面，實現(xiàn)機械隔離和熱隔離；玻璃燒結(jié)一體的傳感器引線實現(xiàn)了與金屬基體的高強度電氣絕緣，提高了電子線路的靈活性能與耐瞬變電壓保護(hù)的能力。這些技術(shù)確保了單晶硅壓力變送器可從容應(yīng)對的化學(xué)場合和機械負(fù)荷，同時具備*的抗電磁干擾能力，足以應(yīng)對為復(fù)雜的工業(yè)環(huán)境應(yīng)用，是名副其實的隱形儀表。

      電容式差壓變送器的檢測元件采用電容式壓力傳感器，組成分測量和放大兩大部分。輸入差壓作用于測量部分電容式壓力傳感器的中心感壓膜片，從而使感壓膜片（即可動電極）與兩固定電極所組成電容量發(fā)生變化，此電容變化量由電容/電流轉(zhuǎn)換電路轉(zhuǎn)換成電流信號Id，Id和調(diào)零與零遷電路產(chǎn)生的調(diào)零信號IZ的代數(shù)和同反饋電路產(chǎn)生的反饋信號If進(jìn)行比較，其差值送入放大器，經(jīng)放大得到整機的輸出信號IO。

     單晶硅變送器采用單晶硅片為彈性元件，在單晶硅膜片上利用集成電路的工藝，在單晶硅的特定方向擴散一組等值電阻，并將電阻接成橋路，單晶硅片置于傳感器腔內(nèi)。

     電容式變送器被測介質(zhì)的兩種壓力通入高、低兩個壓力室，作用在δ元件(即敏感元件)的兩側(cè)隔離膜片上，通過隔離片和元件內(nèi)的填充液傳送到測量膜片兩側(cè)。電容式壓力變送器是由測量膜片與兩側(cè)絕緣片上的電極各組成一個電容器。 當(dāng)兩側(cè)壓力不一致時，致使測量膜片產(chǎn)生位移，其位移量和壓力差成正比，故兩側(cè)電容量就不等，通過振蕩和解調(diào)環(huán)節(jié)，轉(zhuǎn)換成與壓力成正比的信號。